标题:a-Si∶H薄膜的毫微秒脉冲激光退火
作者:罗文秀;戴国才;王小林;高勘;
作者机构:[罗文秀;戴国才;王小林;高勘] 山东大学化学系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1986
期:04
页码:118-122
关键词:GDa-Si:H film;laser anneal
摘要:本文报道用电子显微镜观察、X-射线衍射和红外吸收谱等方法研究 a-Si:H 薄膜的毫微秒(ns)脉冲激光退火的结果。从红外吸收谱发现了退火后薄膜中H相关振动吸收的增强现象;通过电子显微镜观察到了厚度≥3μm 的薄膜退火后具有多层结构。讨论了 H 在产生以上现象的机理中的作用。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX198604016&DbName=CJFQ1986
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