标题:SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征
作者:郁万成;陈秀芳;孙丽;胡小波;徐现刚;赵显
作者机构:[郁万成] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[孙丽] 山东大学 更多
通讯作者:Chen, XF(cxf@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Chen, X.-F] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina;
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:12
页码:3384-3388+3394
关键词:石墨烯; 碳化硅; 热解法
摘要:使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间。利用X射线光电子能谱对氢插入后的 化学键变化进行了表征。样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成。对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应 的拉曼光谱数据进行对比。结果表明,低于800 ℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200 ℃后,插入的氢将被释放。为获得较优的氢插入效果,需要选择1000 ℃左右的氢气退火温度。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84960947052&partnerID=40&md5=60755a1b9fc7afc7f82c304aabe71fb1
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