标题:掺氟硅酸TGS晶体的生长及性质
作者:王民,吕孟凯,房昌水
作者机构:[王民,吕孟凯,房昌水]山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所
来源:人工晶体
出版年:1985
期:Z1
页码:133
关键词:TGS;FS;热释电材料;热释电体;电介质;单晶;晶形;晶体;
摘要: 近年来,国内外对优质热释电材料 TGS((NH_2CH_COOH)_3·H_2SO_4)进行了大量的改性研究,其中已报道用结构为四面体的 SeO_4~(2-)·BeF_4~(2-)·PO_4~(3-)和 AsO_4~(3-)等取代 TGS 晶体中的结构亦为四面体的 SO~(2-),可使 TGS 晶体的热释电性能有较显著的改善。本文的目的是用结构为八面体的 SiF_6~(-2)部分取代 SO_4~(2-),生长出含 H_2SiF_6的 TGS 单晶(简称 TGS/FS)和 ATGS 单晶(简称
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=RGJT1985Z1141&DbName=CJFQ1985
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