标题:Al_2O_3纳米线的择优取向生长
作者:张福生;彭燕;徐现刚;胡小波;
作者机构:[张福生;彭燕;徐现刚;胡小波]山东大学晶体材料研究所
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:Al_2O_3纳米线;氧化硅片;择优取向生长
摘要:采用无催化剂的铝粉和氧化硅片为原料,通过置换还原反应法在氧化硅片上生长了α-Al_2O_3纳米线。分别采用了X射线衍射(XRD)分析、拉曼光谱(Raman spectra)分析、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)测试手段,对最终的产物作表征,研究了氧化硅片对形成产物的成分、物相、形貌、成核生长方式及生长择优取向的影响。结果表明,在反应温度1400℃下生长2h,首先会在氧化硅片上形成一层表面起伏的氧化铝膜,Al_2O_3纳米线在氧化铝膜的类扭折位处成核生长;在氧化硅(001)面上生长的Al_2O_3纳米线具有沿(104)面择优取向生长。
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002335&DbName=CPFD2015
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