标题:MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性
作者:程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华
作者机构:[程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华]山东大学光电材料与器件研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶 更多
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1996
期:04
页码:471-475
关键词:MOCVD;多量子阱;光致发光
摘要:对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX199604018&DbName=CJFQ1996
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