标题:高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究
作者:李帅帅;梁朝旭;王雪霞;李延辉;宋淑梅;辛艳青;杨田林;
作者机构:[李帅帅;梁朝旭;王雪霞;李延辉;宋淑梅;辛艳青;杨田林]山东大学(威海)空间科学与物理学院
来源:物理学报
出版年:2013
期:07
页码:413-417
关键词:非晶铟镓锌氧化物;;薄膜晶体管;;有源层
摘要:由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线,讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响.制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6cm2·V-1·s-1,开...
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=WLXB201307061&DbName=CJFQ2013
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