标题:自适应偏置SOI CMOS功率放大器的设计
作者:胡世林;孙凯;郝明丽;
作者机构:[胡世林;孙凯;郝明丽]中国科学院微电子研究所;[胡世林;孙凯;郝明丽]山东大学信息科学与工程学院
来源:微电子学
出版年:2016
期:03
页码:306-310
关键词:功率放大器;自适应偏置;SOI;共源共栅结构
摘要:基于IBM 0.18μm SOI CMOS工艺,设计了一款用于WLAN的高效率CMOS功率放大器。为了提高电路的可靠性,该放大器的驱动级和输出级均采用自适应偏置电路,使得共栅管和共源管的漏源电压分布更为均衡。该芯片采用两级共源共栅结构,片内集成了输入匹配电路和级间匹配电路。测试结果表明,该放大器的增益为23.9dB,1dB压缩点为23.9dBm,效率为39.4%。当测试信号为IEEE 802.11g 54 Mb/s,在EVM为3%处,输出功率达到16.3dBm。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=MINI201603005&DbName=CJFQ2016
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