标题:生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响
作者:Zhang,Heng;Qu,Shuang;Wang,Chengxin;Hu,Xiaobo;Xu,Xiangang
作者机构:[张恒] 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐现刚] 山东大学晶体 更多
通讯作者:Xu, XG(xxu@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Xu, X.-G] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina;
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:12
页码:3799-3803
关键词:氮化镓; 表面形貌; 二维电子气; 迁移率
摘要:使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二 维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量。结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr, AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差。在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌。同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的 氢气会提高AlGaN层的质量。在反应室压力100torr、氢气组分59%时得到AlGaN HEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm~2 /V·s。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84960954596&partnerID=40&md5=2b0baff02e3eb34d1504476096643bcb
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