标题:delta-掺杂受主的扩散对GaAs /AlAs量子阱子带的影响
作者:郑卫民; 黄海北; 李素梅; 丛伟艳; 王爱芳; 李斌; 宋迎新
作者机构:[郑卫民]山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国;[丛伟艳]山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国;[王爱芳]山东大学(威 更多
通讯作者:Zheng, WeiMin
通讯作者地址:[Zheng, W.-M] School of Space Science and Physics, Shandong University(Weihai)China;
来源:发光学报
出版年:2019
卷:40
期:10
页码:1240-1246
DOI:10.3788/fgxb20194010.1240
关键词:掺杂剂量; delta-掺杂; GaAs /AlAs量子阱; 受主的扩散分布
摘要:在15 nm GaAs /5 nm; AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的delta-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下; 扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,; 它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量; 子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空; 穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着; 价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85073872252&doi=10.3788%2ffgxb20194010.1240&partnerID=40&md5=94beaad0ca340e51625d4e460d328a3c
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