标题:delta-掺杂Be受主GaAs /AlAs多量子阱的空穴共振隧穿
作者:郑卫民; 黄海北; 李素梅; 丛伟艳; 王爱芳; 李斌; 宋迎新
作者机构:[郑卫民]山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国;[丛伟艳]山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国;[王爱芳]山东大学(威 更多
通讯作者:Zheng, WeiMin
通讯作者地址:[Zheng, W.-M] School of Space Science and Physics, Shandong University(Weihai)China;
来源:发光学报
出版年:2019
卷:40
期:11
页码:1373-1379
DOI:10.3788/fgxb20194011.1373
关键词:共振隧穿; 重空穴和轻空穴; GaAs /AlAs多量子阱; 电流-电压特征; delta-掺杂
摘要:三个具有不同量子阱宽度的GaAs /AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100); p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的delta-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导; 体加工工艺制备了相应的两端器件。在4 ~ 200; K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过delta-掺杂Be受主GaAs; /AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs; /GaAs /AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150; K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85076705005&doi=10.3788%2ffgxb20194011.1373&partnerID=40&md5=6ae7f692c5357b59310d77262b9f3fad
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