标题:以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
作者:高玉强;彭燕;李娟;陈秀芳;胡小波;徐现刚;蒋民华
作者机构:[高玉强] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[彭燕] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[李娟] 山东大学, 更多
通讯作者:Hu, XB(xbhu@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Hu, X.-B] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2010
卷:39
期:2
页码:287-290
关键词:升华法; SiC单晶; 微管; 层错
摘要:本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内 沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果 相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-77953147967&partnerID=40&md5=e6d892006adab25f5482c263886f4c4b
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