标题:SiC的高温抗氧化性分析
作者:常春;陈传忠;孙文成
作者机构:[常春] 山东大学材料科学与工程学院, 济南, 山东 250061, 中国.;[陈传忠] 山东大学材料科学与工程学院, 济南, 山东 250061, 中国.;[孙文成] 山东大学材料科学与工 更多
来源:山东大学学报. 工学版
出版年:2002
卷:32
期:6
页码:581-585
关键词:氧化; 显微结构; 碳化硅电热元件
摘要:研究了碳化硅表面没温氧化层的微观结构,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响。碳化硅材料在1360 ℃以下,表面氧化较为轻微,抗氧化性能稳定。温度高于1360 ℃后,SiC颗粒的尖角部位首先被氧化。所形成的表面化层与碳化硅基体的分界清晰,无过渡区,并且始终不能形成致密氧化层。表面二氧化硅层中除了存在石英 和方石英以外,还存在非晶态的二氧化硅。高温时熔融态的二氧化硅不易于从碳化硅基体上脱落。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDGY200206021&DbName=CJFQ2002
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