标题:同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力
作者:宋生;崔潆心;杨昆;徐现刚;胡小波;黄万霞;袁清习
作者机构:[宋生] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[崔潆心] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨昆] 山东大学, 更多
通讯作者:Hu, XB(xbhu@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Hu, X.-B] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2013
卷:42
期:12
页码:2515-2519+2531
关键词:同步辐射; 白光形貌术; 残余应力; 碳化硅
摘要:提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据 此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84892885040&partnerID=40&md5=3097d77f338996a89c3e6acb417103a5
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