标题:MOVPE生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格及其TEM表征
作者:徐现刚,黄柏标,任红文,刘士文,蒋民华
作者机构:[徐现刚,黄柏标,任红文,刘士文,蒋民华]山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所 更多
来源:红外与毫米波学报
出版年:1992
期:02
页码:139-144
关键词:金属有机汽相外延(MOVPE);GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格;横断面透射电子显微术(XTEM);界面;平滑效应
摘要:报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=HWYH199202010&DbName=CJFQ1992
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