标题:对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究
作者:王文新;王矜奉;陈洪存;苏文斌;臧国忠;王春明;亓鹏
作者机构:[王文新] 山东大学,物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[王矜奉] 山东大学,物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈洪存] 山东大学,物理与微电 更多
来源:功能材料
出版年:2004
卷:35
期:1
页码:71-73+76
关键词:压敏材料; 非线性系数; 二氧化锡; 电学性能
摘要:通过实验对三氧化二铟掺杂的SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻的性能进行了研究.所用样品是在1350℃下烧结1h而制成的.实验发现所有样品都 具有很高的致密度(相对密度不小于97.6%),这主要是由于Co2O3影响陶瓷的烧结过程造成的.当In2O3掺杂量为0.05mol%时,压敏电阻具 有最高的非线性系数(alpha=19.3).随着In2O3掺杂量的从0.00mol%增加至0.10mol%,非线性电场强度从213V/mm增加至 815V/mm,而平均晶粒尺寸从6.6mum减小至4.9mum,非线性电场的增加与平均晶粒尺寸的减小密切相关;样品的相对介电常数也从2307减小 至153,这归因于平均晶粒尺寸与势垒厚度比的减小.
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL200401024&DbName=CJFQ2004
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