标题:0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜的MOSD+Dipping制备
作者:王卓;杨长红;王民;房昌水
作者机构:[王卓] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨长红] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[王民] 山东大学, 更多
通讯作者:Wang, Z(wzhuo@icm.sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Wang, Z] Lab. of Crystal Mat., Shandong Univ., Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2004
卷:33
期:5
页码:817-819
关键词:C-V曲线; 铁电薄膜
摘要:采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术 研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还研究了薄膜的存储性能
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-10444275528&partnerID=40&md5=e13140ce64fe2ddb8918c758dcf48397
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