标题:Enhanced Spin Injection into ZnO Semiconductor Measured by Magnetoresistance
作者:季刚[1];颜世申[1];陈延学[1];刘国磊[1];曹强[1];梅良模[1]
作者机构:[季刚;颜世申;陈延学;刘国磊;曹强;梅良模]School of Physics and Microelectronics, and National Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 更多
通讯作者:Ji, G(jigang@mail.sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Ji, G]Shandong Univ, Sch Phys & Microelect, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:中国物理快报:英文版
出版年:2006
卷:23
期:2
页码:446-449
关键词:增强自旋注入;ZnO半导体;磁阻抗;半导体物理;
摘要:我们准备 /ZnO/(CoZnO/Co ) x 2 旋转阀门结构使用了的 2 x (NiFe/CoZnO ) 由劈啪作响和影印石版术的 fors 大头针注射。在连接,免费的磁性的层 2 x (NiFe/CoZnO ) 和固定的磁性的层(CoZnO/Co ) x 2 被用来在外部开关中认识到旋转阀门功能磁性成立。因为宽差距半导体 ZnO 层在二磁性的半导体层 CoZnO 之间被定位,从进无磁性的半导体 ZnO 的磁性的半导体 CoZnO 的电的旋转注射被认识到。基于测量磁致电阻和 Schmidt 模型,在 ZnOsemiconductor 的旋转极化比率被推出在 90 K 是 11.7% 并且 7.0% 在房间温度分别地。
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
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资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/84212X/200602/21062676.html
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