标题:氧注入制成SOI材料的研究
作者:董顺乐;丛培杰;刘家瑞;马瑞芬;
作者机构:[董顺乐;丛培杰;刘家瑞;马瑞芬] 山东大学物理系,山东大学物理系,中国科学院物理研究所,济南半导体元件实验所,
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1989
期:04
页码:51-55
关键词:离子注入;SOI;沟道
摘要:采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX198904007&DbName=CJFQ1989
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