标题:KDP晶体(100)面生长台阶聚并现象的AFM研究
作者:丁建旭[1];王圣来[1];牟晓明[2];于光伟[1];许心光[1];孙云[1];刘文洁[1]
作者机构:[丁建旭;王圣来;于光伟;许心光;孙云;刘文洁]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100,中国.;[牟晓明]中国兵器工业第52研究所烟台分所,烟台264003,中国 更多
通讯作者:Wang, SL
通讯作者地址:[Ding, JX]Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:无机材料学报
出版年:2010
卷:25
期:11
页码:1191-1194
DOI:10.3724/SP.J.1077.2010.01191
关键词:KDP;台阶聚并;AFM;晶体生长;
摘要:采用激光偏振干涉手段实时测量了KDP晶体(100)面的生长速度与过饱和度之间的关系,用AFM技术观察了KDP晶体(100)面在不同过饱和度下的基本台阶和聚并台阶形貌,并据此分析了由基本台阶到聚并台阶的过程及其与过饱和度之间的关系.研究表明:过饱和度为1.8%时,(100)面上以基本台阶为主,基本台阶的高度为0.366nm,约为半晶胞高度;增大过饱和度,基本台阶开始聚并,聚并初期,台阶高度增加,进而台阶宽度增加;随着过饱和度的增大,台阶聚并加剧,推移速度加快,但聚并台阶的斜率基本不变.
收录类别:EI;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:2
Scopus被引频次:5
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/93432X/201011/36230780.html
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