标题:MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器
作者:夏伟;王翎;李树强;张新;马德营;任忠祥;徐现刚
作者机构:[夏伟] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[李树强] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[王翎] 山东大学, 晶体材料国家 更多
通讯作者:Xia, W(xiaw@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Xia, W] School of Information Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2006
卷:35
期:6
页码:1247-1250
关键词:低阈值电流; 650nm激光器
摘要:通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光 器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm AlGaInP红光激光器的最低阈值电流. 在25mA 工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-33846526722&partnerID=40&md5=f0d8445c36b0a80a109486efe706fcfa
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