标题:取代基对二噻吩并噻吩衍生物的双光子吸收性质的影响
作者:周树兰[1];赵显[1];孙学勤[1];程秀凤[1]
作者机构:[周树兰] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[赵显] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[孙学勤] 山东大学 更多
通讯作者地址:[Zhao, X]Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:高等学校化学学报
出版年:2006
卷:27
期:10
页码:1949-1952
关键词:双光子吸收截面;二噻吩并噻吩衍生物(DTT);Sum-Over-States(SOS);
摘要:利用ZINDO/SOS方法,从理论上研究了对称和不对称取代两种情况下,取代基对二噻吩并噻吩衍生物单双光子吸收性质的影响.结果表明,所设计的噻吩类分子具有较大的双光子吸收截面,且双受体取代比双给体取代更有利于增大分子的双光子吸收截面.同时发现,此类分子受体取代可以显著增加波长较短的双光子峰附近的双光子吸收,而给体取代则可以改善波长较长吸收峰附近的双光子吸收.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:3
Scopus被引频次:2
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-33845910651&partnerID=40&md5=cf615155c78283a320065f0cea597855
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