标题:羟乙葛根素对大鼠局灶性脑缺血再灌注氧化损伤的保护作用
作者:余雪源;仲英;左春旭;张岫美
作者机构:[余雪源] 山东大学医学院药理学研究所, 济南, 山东 250012, 中国.;[张岫美] 山东大学医学院药理学研究所, 济南, 山东 250012, 中国.;[仲英] 山东省医学科学院药物 更多
来源:中国生化药物杂志
出版年:2012
卷:33
期:1
页码:4-7+11
关键词:羟乙葛根素; 脑缺血再灌注损伤; 超氧阴离子; 羟自由基; 缺血性脑血管病
摘要:目的探讨羟乙葛根素对大鼠局灶性脑缺血再灌注氧化损伤的保护作用。方法制备大脑中动脉阻塞再灌注损伤模型,测定脑缺血再灌注损伤大鼠神经病学评分、脑组织 超氧阴离子和羟自由基水平和脑梗死面积。结果羟乙葛根素能明显降低局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠神经病学评分、缩小脑梗死面积,降低脑组织超氧阴离子和羟自 由基水平。结论羟乙葛根素的脑保护作用可能与清除体内超氧阴离子和羟自由基有关。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SHYW201201003&DbName=CJFQ2012
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