标题:薄膜厚度对ZnO:Ga透明导电膜性能的影响
作者:余旭浒;马瑾;计峰;王玉恒;张锡健;程传福;马洪磊
作者机构:[余旭浒] 山东大学,物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[马瑾] 山东大学,物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[计峰] 山东大学,物理与微电子学 更多
通讯作者地址:[Ma, J] Sch. of Phys. and Microelectron., Shandong Univ., Ji'nan 250100, China
来源:功能材料
出版年:2005
卷:36
期:2
页码:241-243
关键词:磁控溅射; 薄膜厚度; 光电性质
摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的Zn O:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9*1 0-4Omega·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
收录类别:CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:10
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-15944426391&partnerID=40&md5=cc80d5021231557ccd951468eefd9000
TOP