标题:钴(Ⅱ)-丁二肟体系的吸附伏安法研究
作者:金文睿;刘坤;
作者机构:[金文睿;刘坤]山东大学化学系,山东大学化学系 济南,济南 青岛医学院化学教研室
通讯作者:JIN, WR
通讯作者地址:[JIN, WR]SHANDONG UNIV,DEPT CHEM,JINAN,PEOPLES R CHINA.
来源:化学学报
出版年:1985
卷:43
期:10
页码:923-929
关键词:吸附伏安法;吸附量;扫描速度;配合物;悬汞电极;峰电流;富集时间;电极表面;
摘要:本文对钴(Ⅱ)与丁二肟配合物Co(Ⅱ)A_2在悬汞电极上的吸附伏安法作了研究。在-0.60~-0.90V(vs.SCE)Co(Ⅱ)A_2能在悬汞电极上很好地吸附,当电极向阴极方向扫描时,吸附在电极上的Co(Ⅱ)A_2分二步不可逆地还原到Co(O)(Hg)。本文导出了在低覆盖度下富集阶段电极表面吸附量的表达式,实验结果与理论推导相符。理论上分析了不可逆过程线性扫描吸附伏安法的灵敏度。影响灵敏度的主要因素是吸附富集时间,当富集120秒时,检测下限可达1×10~(-9)M,此结论得到实验证实。
收录类别:SCIE
WOS核心被引频次:19
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=HXXB198510003&DbName=CJFQ1985
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