标题:一代树状碳硅烷液晶研究—端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元
作者:张其震[1];赵晓光[2];等
作者机构:[张其震] 山东大学化学化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[刘建强] 山东大学化学化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[殷晓颖] 山东大学化学化工学院, 济南, 山 更多
通讯作者:Zhang, QZ(qzzhang@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Zhang, QZ]Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:化学学报
出版年:2002
卷:60
期:12
页码:2232-2237
关键词:丁氧基偶氮苯介晶基元;树状化合物;液晶;向列相;高强向错;碳硅烷;发散法;合成;
摘要:用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的一代树状碳硅烷(D1)。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征。D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N133I132N67K,D1熔点比M5降低30-43℃,D1清亮点比M5增加9-11℃,D1介晶相区比M5加宽39-54℃,观察到8条黑刷的树状物的高强向错(S=+2),D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相变清亮焓值,原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:14
Scopus被引频次:14
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-0442265715&partnerID=40&md5=5d18fafbf8ab000cf9c26c0758a32b70
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