标题:氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
作者:肖洪地[1];马洪磊[1];薛成山[1];马瑾[1];宗福建[1];张希键[1];计峰[1];胡文容[1]
作者机构:[肖洪地;马洪磊;薛成山;马瑾;宗福建;张希键;计峰;胡文容]山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东师范大学 更多
来源:功能材料
出版年:2004
期:z1
关键词:Ga2O3粉末;GaN粉末;氮化温度;
摘要:在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/92397A/2004z1/1000313646.html
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