标题:一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量
作者:王燕;于锡铃;殷绍唐
作者机构:[王燕] 上海大学物理系, 上海 200436, 中国.;[于锡铃] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[殷绍唐] 中国科学院安徽光学精密机械研究所 更多
通讯作者:Wang, Y(yanwang@mail.shu.edu.cn)
通讯作者地址:[Wang, Y] Dept. of Phys., Shanghai Univ., Shanghai 200436, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2004
卷:33
期:6
页码:982-986
关键词:一水甲酸锂晶体; 边界层; 界面过饱和度
摘要:本文采用激光全息相衬干涉显微术研究了有机非线性光学晶体一水甲酸锂晶体的生长,计算了晶体生长的界面过饱和度.我们的研究结果表明,晶体生长的界面过饱 和度随体过饱和度的增加而非线性增加;不同晶面的界面过饱和度不同;当体过饱和度增加到一定程度时,不同晶面的界面过饱和度趋于相同.
收录类别:CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-12844249490&partnerID=40&md5=bc8bef7b29ad025d4eb4f599db2321b4
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