标题:拉速对O400 mm直拉硅单晶中空洞分布影响的数值模拟
作者:于新友;关小军;曾庆凯;王进;张向宇
作者机构:[于新友] 山东大学材料科学与工程学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250061, 中国.;[关小军] 山东大学材料科学与工程学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南 更多
通讯作者:Guan, Xiaojun(guanxj2003@126.com)
通讯作者地址:[Guan, X] School of Material Science and Engineering, Shandong UniversityChina;
来源:功能材料
出版年:2015
卷:46
期:20
页码:20112-20116
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.20.024
关键词:直拉法; 硅单晶; 空洞; 拉速; 数值模拟
摘要:为了研究拉速对O400 mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1) 3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律,即随着径向半径增加,晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小,该变化趋势随轴向位置远离固液界面而减弱;晶体边缘 的空洞密度和平均直径随径向半径增加而减小,直至形成无空洞区,无空洞区域随轴向位置远离固液界面而缩小;(2)随着拉晶速度加快,晶体心部的空洞密度及 其平均尺寸相应增大,对应的变化区域基本上向边缘整体平移。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84960968003&doi=10.3969%2fj.issn.1001-9731.2015.20.024&partnerID=40&md5=28f4993105d3e9ed39b483c5c6d2ca92
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