标题:典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响
作者:丁建旭;张建芹;王圣来;牟晓明;许心光;顾庆天;孙云;刘文洁;刘光霞
作者机构:[丁建旭] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[王圣来] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[许心光] 山东大 更多
通讯作者:Wang, SL(slwang67@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Wang, S.-L] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2010
卷:39
期:5
页码:1089-1093
关键词:电导率; 晶体缺陷; 掺杂
摘要:针对KDP晶体生长过程中常出现的SO24-,NO3-和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP 晶体X和Z向的电导率的影响.结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率;SO4 2-的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO3-和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.分析认为,快 速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO42-具有与PO34-结构的相似性,从而能够取代部分PO43-进入晶格,从而产 生H+空位.H+空位的定向移动能增大晶体的电导率.而NO3-和Cl-与PO34-结构差异较大,很难取代进入PO34-晶格,因此NO3-和Cl-对 KDP晶体的电导率影响不大
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-78649459156&partnerID=40&md5=14320010f7963f7f0a8190043a846f7d
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