标题:Ti掺杂6H-SiC电学性质研究
作者:杨昆;杨祥龙;陈秀芳;崔潆心;彭燕;胡小波;徐现刚
作者机构:[杨昆] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨祥龙] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳] 山东大学 更多
通讯作者:Xu, XG(xxu@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Xu, X.-G] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:4
页码:733-737
关键词:物理气相传输; Ti 掺杂; 电阻率
摘要:使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和 非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征。结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型 稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到10~(10)~10~(11)Omega·cm。初步认 为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位V_C是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84901625337&partnerID=40&md5=44142ed728ba5ca1fc5df92347775475
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