标题:Nd:GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能
作者:杨菁 [1];秦连杰 [2];孟宪林 [3];张小民 [4]
作者机构:[杨菁 ]山东大学信息科学与工程学院,山东,济南,250100,中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳,621900,中国.;[秦连杰 ]烟台大学环境和材料工程学院,山东,烟 更多
来源:光电子.激光
出版年:2004
期:09
关键词:调Q;激光输出;ND:GDVO4晶体;LD端面泵浦;调制;激光性能;峰值功率;晶体生长;光散射;单晶;
摘要:通过液相合成方法提纯Nd∶GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体\"后天性光散射\",Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd∶GdVO4单晶.采用不同透过率的Cr4+∶YAG晶体对Nd∶CdVO4晶体进行激光调Q实验.实验结果显示,Cr4+∶YAG Nd∶GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出.实验得到的最小脉冲宽度只有6 ns,对应峰值能量为26.4 kW.对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大.对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8 W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63 W.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/92586A/200409/10719160.html
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