标题:一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究
作者:秦连杰;姜付义;孟宪林;徐惠忠;侯学元;祝俐;刘均海
作者机构:[秦连杰] 烟台大学环境与材料工程学院, 烟台, 山东 264005, 中国.;[姜付义] 烟台大学环境与材料工程学院, 烟台, 山东 264005, 中国.;[徐惠忠] 烟台大学环境与材料 更多
通讯作者:Qin, LJ(ljqin@icm.sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Qin, L.-J] Coll. of Environ. and Mat. Eng., Yantai Univ., Yantai 264005, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2004
卷:33
期:5
页码:868-870+834
关键词:Nd:YxGd1-xVO4混晶; 晶体生长; 性质; 激光; 调Q
摘要:Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的 增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:Y AG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-10444245824&partnerID=40&md5=5ae491a358ed9d33992c10c861131f8e
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