标题:合成GaP纳米晶过程的关键影响因素
作者:刘振刚;于美燕;白玉俊;郝霄鹏;王琪珑;于乃森;崔得良
作者机构:[刘振刚] 山东大学化学与化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[于美燕] 山东大学化学与化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[王琪珑] 山东大学化学与化工学院, 济 更多
来源:人工晶体学报
出版年:2003
卷:32
期:3
页码:224-227
关键词:鳞化镓; 纳米晶; 纳米棒; X射线衍线; 关键因素
摘要:本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素。GaP纳米晶的产率、形貌以及 平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同。制备的 GaP纳米晶用x射线衍射仪和透射电镜进行了表征。发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需 要进行调控
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=RGJT200303008&DbName=CJFQ2003
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