标题:氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究
作者:俞琳;刘东红;胡连军;戴瑛;龙闰;闫翠霞
作者机构:[俞琳] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[刘东红] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡连军] 山东大学物理与微电子学院 更多
通讯作者地址:[Yu, L] School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Ji'nan 250100, China
来源:功能材料
出版年:2005
卷:36
期:12
页码:1837-1838
关键词:金刚石; 氘化; n型电导; 掺杂
摘要:室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导 ,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-32844463171&partnerID=40&md5=d987f8396a54d5c14afa354235e56c67
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