标题:GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性
作者:王卿璞,程兴奎,陈寿花,马洪磊
作者机构:[王卿璞,程兴奎,陈寿花,马洪磊]山东大学物理系,山东大学光电所,济南二轻中专,济南半导体元件实验所
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1999
期:01
页码:55-59
关键词:多量子阱;光致发光;波数
摘要:采用MOCVD技术制备了GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到5个发光峰,其波数分别为υ=9600cm-1,12020cm-1,12240cm-1,12550cm-1和13070cm-1,并对发光峰的位置进行了理论的说明
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX901.008&DbName=CJFQ1999
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