标题:Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程
作者:肖洪地;马洪磊;刘蓉;马瑾;林兆军;
作者机构:[肖洪地]山东大学物理与微电子学院;[马洪磊]山东大学物理与微电子学院;[刘蓉]山东体育学院基础理论系;[马瑾]山东大学物理与微电子学院;[林兆军]山东大学物理与微 更多
会议名称:第六届中国功能材料及其应用学术会议
来源:第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(1)
出版年:2007
期:A0
关键词:非晶 GaN;多晶 GaN;氨气;Ga
摘要:采用磁控溅射法在 Si(111)衬底上直接淀积 GaN 薄膜。通过 X 射线衍射谱(XRD)、X 光电子能谱 (XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究 GaN 薄膜由非晶态向多晶态的转化过程.实验结果表明:(1)在 900℃氮气气氛中退火,非晶态 GaN 保持不变;(2)在 900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态 GaN 转化为多晶态 GaN,但却出现中间相金属 Ga;(3)在非晶态 GaN 向多晶态 GaN 转化过程中,GaN 晶粒将逐渐增大。
资源类型:会议论文;期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL200711001064&DbName=CPFD2008
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