标题:MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真
作者:陈慧凯;邢建平
作者机构:[陈慧凯] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[邢建平] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国 更多
来源:山东大学学报. 工学版
出版年:2002
卷:32
期:5
页码:476-479
关键词:计算机辅助设计; 计算机模拟; 集成电路
摘要:使用TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统对P-MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数据方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行 为,提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDGY200205017&DbName=CJFQ2002
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