标题:薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响
作者:余旭浒,马瑾,计峰,王玉恒,张锡健,程传福,马洪磊
作者机构:[余旭浒,马瑾,计峰,王玉恒,张锡健,程传福,马洪磊]山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院,山东 更多
来源:功能材料
出版年:2005
期:02
页码:241-243
关键词:磁控溅射;ZnO∶Ga;薄膜厚度;光电性质
摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL20050200O&DbName=CJFQ2005
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