标题:Prediction of a large-gap quantum-spin-Hall insulator: Diamond-like GaBi bilayer
作者:Aizhu Wang[1,2];Aijun Du[2];Mingwen Zhao[1]
作者机构:[Aizhu Wang;Mingwen Zhao]School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China.;[Aizhu Wang;Aijun 更多
来源:纳米研究:英文版
出版年:2015
期:12
关键词:量子自旋;绝缘体;金刚石;纳米电子器件;拓扑性质;预测;差距;密度泛函理论;
摘要:一个 quantum-spin-Hall (QSH ) 状态试验性地被完成,在低批评温度的虽然因为体积材料的狭窄的乐队差距。Twodimensional 拓扑的绝缘体为认识到新奇拓扑的应用是极其重要的。用密度功能的理论(DFT ) ,我们证明 hydrogenated GaBi bilayers (HGaBi ) 与 0.320 eV 的大重要乐队差距形成稳定的拓扑的绝缘体基于最先进的混合功能的方法,它为在房间温度完成 QSH 状态是可实现的。HGaBi 格子的重要拓扑的性质能也在 nanoribbon 结构从无差距的边状态的外观被证实。我们的结果为招待为重要 nanoelectronic 设备应用可用的重要拓扑的状态提供一个万用的平台。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/71233X/201512/666903205.html
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