标题:透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
作者:李娟;胡小波;高玉强;王翎;徐现刚
作者机构:[李娟] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[高玉强] 山东大学 更多
通讯作者:Li, J(xososo@gmail.com)
通讯作者地址:[Li, J] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2008
卷:37
期:5
页码:1117-1120
关键词:透射电子显微术; 高分辨X射线衍射仪; AlN单晶
摘要:采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001) 面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(11^-20)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:4
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-55649119610&partnerID=40&md5=7805531bbe51cd96261f0c6a8731c323
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