标题:退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响
作者:张雯;王继扬;季振国;李红霞;娄垚
作者机构:[张雯] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[王继扬] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[季振国] 杭州电子 更多
通讯作者:Wang, JY(jywang@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Wang, J.-Y] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2010
卷:39
期:3
页码:588-592
关键词:La_3Ga_5SiO_(14)薄膜; 脉冲激光沉积; 退火温度; 微观结构
摘要:采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La_3Ga_5SiO_(14)薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度 为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400℃时生长的薄膜经过800℃退火处理后 呈现无序的多晶形态。当退火温度进一步升高至1000℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400 )为主要取向的多晶结构。表面形貌分析表明:衬底温度为400℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄 膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-77954878409&partnerID=40&md5=63e3bea1ef8223da6776c3bfd6304b33
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