标题:导模法生长高质量氧化镓单晶的研究
作者:贾志泰;穆文祥;尹延如;张健;陶绪堂
作者机构:[贾志泰] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;光电材料与技术国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[穆文祥] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 更多
通讯作者地址:[Tao, X.-T] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina
来源:人工晶体学报
出版年:2017
卷:46
期:2
页码:193-196
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2017.02.001
关键词:氧化镓单晶; 导模法; 禁带宽度
摘要:使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(beta-Ga_2O_3)单晶。晶体外观完整、无色、无开裂,粉末 XRD测试证明所获得的晶体为beta相,晶体摇摆曲线半峰宽为93. 6\",峰形对称,说明晶体质量良好。测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4. 77 eV。此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响。
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85020817546&partnerID=40&md5=43fbe80ca5d113aecec2869b6b3d8ce0
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