标题:alpha-Si:H掺杂机理的研究
作者:戴国才; 张瑞勤; 关大任; 蔡政亭
作者机构:[戴国才]山东大学, 济南, 山东 中国;[张瑞勤]山东大学, 济南, 山东 中国;[关大任]山东大学, 济南, 山东 中国;[蔡政亭]山东大学, 济南, 山东 中国. 更多
来源:物理学报
出版年:1989
卷:38
期:5
关键词:半导体材料; 掺杂机理
收录类别:CSCD
最新影响因子:0.677
资源类型:期刊论文
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