标题:SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析
作者:于国建;徐明升;胡小波;徐现刚
作者机构:[于国建] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐明升] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大 更多
通讯作者:Yu, GJ(gjyusdu@163.com)
通讯作者地址:[Yu, G.-J] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:5
页码:1017-1022
关键词:高分辨X射线衍射; SiC衬底; GaN外延层
摘要:通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错 密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在 压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为10~7和10~8量级。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84902592929&partnerID=40&md5=b9bab17e8e2ffc481d87a5edc3686464
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