标题:旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析
作者:赵明磊[1];王增梅[1];袁多荣[1];王矜奉[1];王春雷[1];王渊旭[1];王晓颖[1]
作者机构:[赵明磊;王增梅;袁多荣;王矜奉;王春雷;王渊旭;王晓颖]山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学 更多
来源:功能材料
出版年:2004
期:z1
关键词:LGS晶体;旋转Y切;压电常数;
摘要:通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/92397A/2004z1/1000313572.html
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