标题:宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展
作者:肖龙飞; 徐现刚
作者机构:[肖龙飞]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[徐现刚]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国. 更多
来源:强激光与粒子束
出版年:2019
卷:31
期:4
页码:18-23
关键词:碳化硅; 物理气相传输法; 功率器件; 光导开关; 器件失效
摘要:碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿、场强高; 等诸多优异的性质。基于这些优良的特性,碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件的理想材料。近年来在碳化硅材料生长和器件制备方面取得重大进展,; 对碳化硅材料特性和生长方法进行回顾,并研究了碳化硅光导开关偏压、触发能量、导通电流之间的关系,以及开关失效情况下电极表面的损伤情况。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=QJGY201904005&DbName=CJFQPREP
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