标题:射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响
作者:童杨;王昆仑;刘媛媛;李延辉;宋淑梅;杨田林
作者机构:[童杨] 山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[王昆仑] 山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[刘媛媛] 山东大学 更多
通讯作者:Yang, TL(ytlin@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Yang, T.-L] School of Space Science and Physics, Shandong University at WeihaiChina;
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:9
页码:2338-2342+2349
关键词:铟锡锌氧化物薄膜; 光学带隙; 光电特性; 射频功率
摘要:在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明, ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 cm~2·V~(- 1)·s~(- 1)。随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV。研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率。随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律。当射频功率为80 W时, ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80 * 10~(- 4)Omega·cm,载流子浓度为6.45 * 10~(20) cm~(- 3), 霍尔迁移率为24.14 cm~2·V~(- 1)·s~(- 1)。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84948703712&partnerID=40&md5=974ec60685c0b538baac6bfb30c9602e
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