标题:Si对热压烧结B_4 C陶瓷材料显微结构与性能的影响
作者:张卫珂;常杰;张敏;高利珍;张玉军
作者机构:[张卫珂] 太原理工大学环境科学与工程学院, 太原, 山西 030024, 中国.;[常杰] 太原理工大学环境科学与工程学院, 太原, 山西 030024, 中国.;[张敏] 太原理工大学环 更多
通讯作者:Zhang, WK(waker_cn@hotmail.com)
通讯作者地址:[Zhang, W.-K] College of Environmental Science and Technology, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2013
卷:42
期:12
页码:2576-2582
关键词:热压烧结; 原位增强
摘要:采用Si作为烧结助剂,利用热压烧结技术烧结制备了SiB_6-B_4C陶瓷复合材料。采用热力学计算、XRD物相分析,结合SEM图片,探讨了Si-B _4C陶瓷的烧结过程和机理。结果表明:Si有助于促进B_4C陶瓷的致密化烧结,原位生成的SiB_6有助于B_4C陶瓷机械性能的提高;Si的最佳加 入量为10wt%;预烧处理对Si-B_4C陶瓷烧结有利,1000 ~ 1400℃预烧8 h后制备的B_4C陶瓷弯曲强度447. 3 MPa,断裂韧性4.42 MPa · m~(1/2),HRA硬度为94。
收录类别:CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:2
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84892883243&partnerID=40&md5=ca33edbd1e427d7cde0150c8803a1608
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