标题:BN坩埚中的AIN单晶生长
作者:李娟;胡小波;姜守振;王英民;宁丽娜;陈秀芳;徐现刚;王继扬;蒋民华
作者机构:[李娟] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[姜守振] 山东大学 更多
来源:人工晶体学报
出版年:2006
卷:35
期:2
页码:435-436
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.052
关键词:单晶生长; 宽带隙半导体材料; 微电子器件; GaN材料; 坩埚; 高热导率; 紫外探测器; 光电子领域
摘要:AIN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电子器件和紫外探测器等 方面,具有广泛的应用前景。AIN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。AIN作为GaN材料的衬底,与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比,具有晶格失配 位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点,因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命。目前,各国竞相投入大量的人力、物力进行AIN单晶的研究工 作。我国在这方面还鲜有报道。本文报道了山东大学在AIN单晶生长探索方面取得的一些进展。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
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