标题:羰基化合物在Si(100)表面[2+2]环加成和α-H裂解反应的选择性
作者:张继超[1];程学礼[2];程玉桥[1];孟祥华[2];刘永军[2];刘成卜[2]
作者机构:[张继超;程玉桥]中国石化胜利油田分公司地质科学研究院,山东东营257015,中国.;[程学礼;孟祥华;刘永军;刘成卜]山东大学化学与化工学院,济南250100,中国 更多
通讯作者:Liu, YJ
通讯作者地址:[Liu, YJ]Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:物理化学学报
出版年:2012
卷:28
期:8
页码:1849-1853
DOI:10.3866/PKU.WHXB201206081
关键词:密度泛函理论:环加成反应:α-H裂解反应:羰基化合物;
摘要:最近研究表明: 丙酮能与半导体Si(100)表面发生[2+2]环加成和α-H 裂解反应形成相应的Si―C键或Si―O键, 在半导体材料的合成方面具有重要意义. 为进一步弄清不同羰基化合物在Si(100)表面的反应机理,本文应用密度泛函理论方法在B3LYP/6-311++G(d,p)//6-31G(d)水平上较为系统地研究了一系列羰基化合物CH3COR (R=CH3, H, C2H5, C6H5)与Si(100)表面的反应. 研究结果表明: 不论是[2+2]环加成反应还是α-H 裂解反应都对应较低的反应势垒(小于25 kJ·mol-1); 环加成反应的势垒比α-H 裂解反应的势垒略高; 羰基上的取代基对反应势垒的影响较少; α-H裂解反应产物为动力学和热力学控制产物; 对丁酮来说, 1-位和3-位H原子的裂解反应都比较容易, 势垒相差很小. 这些结果表明羰基化合物与Si(100)表面的反应将得到多种产物.
收录类别:SCOPUS;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/92644X/201208/42672401.html
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